EFC6602R-TR

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	EFC6602R-TR
Fabricant	Rochester Electronics
Descripció	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - matrius
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	EFC6602R-TR PDF

Disponibilitat

En estoc	130.439
Preu unitari	$ 0.23000

EFC6602R-TR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EFC6602R-TR Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	-
paquet:	Bulk
estat de la part:	Active
tipus fet:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
fet característica:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
drenatge a la tensió de font (vdss):	12V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	18A (Ta)
rds activat (màx.) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (màx.) @ id:	1.3V @ 1mA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	55nC @ 4.5V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	-
potència - màx:	2W (Ta)
Temperatura de funcionament:	150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet / estoig:	6-XFBGA, WLCSP
paquet del dispositiu del proveïdor:	6-WLCSP (1.81x2.7)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.