BSG0813NDIATMA1

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	BSG0813NDIATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Descripció	MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - matrius
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	BSG0813NDIATMA1 PDF

Disponibilitat

En estoc	783.080
Preu unitari	$ 1.24740

BSG0813NDIATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSG0813NDIATMA1 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	-
paquet:	Tape & Reel (TR)
estat de la part:	Active
tipus fet:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fet característica:	Logic Level Gate, 4.5V Drive
drenatge a la tensió de font (vdss):	25V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	19A, 33A
rds activat (màx.) @ id, vgs:	3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	2V @ 250µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	8.4nC @ 4.5V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	1100pF @ 12V
potència - màx:	2.5W
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 155°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet / estoig:	8-PowerTDFN
paquet del dispositiu del proveïdor:	PG-TISON-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.