SIA938DJT-T1-GE3

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	SIA938DJT-T1-GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Descripció	DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - matrius
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	SIA938DJT-T1-GE3 PDF

Disponibilitat

En estoc	5.910
Preu unitari	$ 0.70000

SIA938DJT-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SIA938DJT-T1-GE3 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	TrenchFET® Gen IV
paquet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estat de la part:	Active
tipus fet:	2 N-Channel (Dual)
fet característica:	Standard
drenatge a la tensió de font (vdss):	20V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
rds activat (màx.) @ id, vgs:	21.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	1.5V @ 250µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	11.5nC @ 10V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	425pF @ 10V
potència - màx:	1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet / estoig:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
paquet del dispositiu del proveïdor:	PowerPAK® SC-70-6 Dual

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.