FF8MR12W2M1B11BOMA1

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Descripció	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - matrius
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	FF8MR12W2M1B11BOMA1 PDF

Disponibilitat

En estoc	45
Preu unitari	$ 248.29000

FF8MR12W2M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FF8MR12W2M1B11BOMA1 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	CoolSiC™+
paquet:	Tray
estat de la part:	Active
tipus fet:	2 N-Channel (Dual)
fet característica:	Silicon Carbide (SiC)
drenatge a la tensió de font (vdss):	1200V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	150A (Tj)
rds activat (màx.) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
vgs(th) (màx.) @ id:	5.55V @ 60mA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	372nC @ 15V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	11000pF @ 800V
potència - màx:	20mW (Tc)
Temperatura de funcionament:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Chassis Mount
paquet / estoig:	Module
paquet del dispositiu del proveïdor:	AG-EASY2BM-2

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.