EPC2110ENGRT

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	EPC2110ENGRT
Fabricant	EPC
Descripció	GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - matrius
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	EPC2110ENGRT PDF

Disponibilitat

En estoc	261.187
Preu unitari	$ 2.37000

EPC2110ENGRT Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EPC2110ENGRT Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	eGaN®
paquet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estat de la part:	Active
tipus fet:	2 N-Channel (Dual) Common Source
fet característica:	GaNFET (Gallium Nitride)
drenatge a la tensió de font (vdss):	120V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	3.4A
rds activat (màx.) @ id, vgs:	60mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (màx.) @ id:	2.5V @ 700µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	0.8nC @ 5V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	80pF @ 60V
potència - màx:	-
Temperatura de funcionament:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet / estoig:	Die
paquet del dispositiu del proveïdor:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.