IPG20N10S4L35ATMA1

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	IPG20N10S4L35ATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Descripció	MOSFET 2N-CH 8TDSON
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - matrius
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	IPG20N10S4L35ATMA1 PDF

Disponibilitat

En estoc	14.427
Preu unitari	$ 1.43000

IPG20N10S4L35ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPG20N10S4L35ATMA1 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
paquet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estat de la part:	Active
tipus fet:	2 N-Channel (Dual)
fet característica:	Logic Level Gate
drenatge a la tensió de font (vdss):	100V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	20A
rds activat (màx.) @ id, vgs:	35mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	2.1V @ 16µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	17.4nC @ 10V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	1105pF @ 25V
potència - màx:	43W
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet / estoig:	8-PowerVDFN
paquet del dispositiu del proveïdor:	PG-TDSON-8-4

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.