SCTWA50N120

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	SCTWA50N120
Fabricant	STMicroelectronics
Descripció	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	SCTWA50N120 PDF

Disponibilitat

En estoc	1.240
Preu unitari	$ 29.63000

SCTWA50N120 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCTWA50N120 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	-
paquet:	Tube
estat de la part:	Active
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	1200 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	65A (Tc)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	20V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (màx.) @ id:	3V @ 1mA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	122 nC @ 20 V
vgs (màx.):	+25V, -10V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	1900 pF @ 400 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	318W (Tc)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 200°C (TJ)
tipus de muntatge:	Through Hole
paquet del dispositiu del proveïdor:	HiP247™
paquet / estoig:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.