IPB80N06S4L05ATMA2

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	IPB80N06S4L05ATMA2
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Descripció	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	IPB80N06S4L05ATMA2 PDF

Disponibilitat

En estoc	310.880
Preu unitari	$ 0.96495

IPB80N06S4L05ATMA2 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPB80N06S4L05ATMA2 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
paquet:	Tape & Reel (TR)
estat de la part:	Active
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	60 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	80A (Tc)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	4.5V, 10V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	5.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	2.2V @ 60µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (màx.):	±16V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	8180 pF @ 25 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	107W (Tc)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:	PG-TO263-3-2
paquet / estoig:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.