IPS65R1K5CEAKMA1

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	IPS65R1K5CEAKMA1
Fabricant	Rochester Electronics
Descripció	MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	IPS65R1K5CEAKMA1 PDF

Disponibilitat

En estoc	1.865.930
Preu unitari	$ 0.20000

IPS65R1K5CEAKMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPS65R1K5CEAKMA1 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	CoolMOS™ CE
paquet:	Tube
estat de la part:	Obsolete
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	650 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	3.1A (Tc)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	10V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	1.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	3.5V @ 100µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	10.5 nC @ 10 V
vgs (màx.):	±20V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	225 pF @ 100 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	28W (Tc)
Temperatura de funcionament:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Through Hole
paquet del dispositiu del proveïdor:	TO-251
paquet / estoig:	TO-251-3 Stub Leads, IPak

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.