BSP149H6327XTSA1

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	BSP149H6327XTSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Descripció	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	BSP149H6327XTSA1 PDF

Disponibilitat

En estoc	17.931
Preu unitari	$ 1.24000

BSP149H6327XTSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSP149H6327XTSA1 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	SIPMOS®
paquet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estat de la part:	Active
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	200 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	660mA (Ta)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	0V, 10V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	1.8Ohm @ 660mA, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	1V @ 400µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	14 nC @ 5 V
vgs (màx.):	±20V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	430 pF @ 25 V
fet característica:	Depletion Mode
dissipació de potència (màx.):	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:	PG-SOT223-4
paquet / estoig:	TO-261-4, TO-261AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.