IPB65R280C6ATMA1

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	IPB65R280C6ATMA1
Fabricant	Rochester Electronics
Descripció	MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	IPB65R280C6ATMA1 PDF

Disponibilitat

En estoc	1.000
Preu unitari	$ 1.05000

IPB65R280C6ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPB65R280C6ATMA1 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	CoolMOS™
paquet:	Bulk
estat de la part:	Obsolete
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	650 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	13.8A (Tc)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	10V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	280mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	3.5V @ 440µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	45 nC @ 10 V
vgs (màx.):	±20V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	950 pF @ 100 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	104W (Tc)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:	D²PAK (TO-263AB)
paquet / estoig:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.