RF4E070BNTR

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	RF4E070BNTR
Fabricant	ROHM Semiconductor
Descripció	MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	RF4E070BNTR PDF

Disponibilitat

En estoc	860
Preu unitari	$ 0.91000

RF4E070BNTR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RF4E070BNTR Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	-
paquet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estat de la part:	Not For New Designs
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	30 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	7A (Ta)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	4.5V, 10V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	28.6mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	2V @ 250µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	8.9 nC @ 10 V
vgs (màx.):	±20V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	410 pF @ 15 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	2W (Ta)
Temperatura de funcionament:	150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:	HUML2020L8
paquet / estoig:	8-PowerUDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.