G2R120MT33J

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	G2R120MT33J
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Descripció	SIC MOSFET N-CH TO263-7
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	G2R120MT33J PDF

Disponibilitat

En estoc	82
Preu unitari	$ 95.63000

G2R120MT33J Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

G2R120MT33J Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	G2R™
paquet:	Tube
estat de la part:	Active
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	3300 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	35A
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	20V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	156mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (màx.) @ id:	-
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	145 nC @ 20 V
vgs (màx.):	+25V, -10V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	3706 pF @ 1000 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	-
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:	TO-263-7
paquet / estoig:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.