SI1012X-T1-GE3

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	SI1012X-T1-GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Descripció	MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	SI1012X-T1-GE3 PDF

Disponibilitat

En estoc	2.568
Preu unitari	$ 0.54000

SI1012X-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SI1012X-T1-GE3 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	TrenchFET®
paquet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estat de la part:	Active
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	20 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	500mA (Ta)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	1.8V, 4.5V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	700mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (màx.) @ id:	900mV @ 250µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	0.75 nC @ 4.5 V
vgs (màx.):	±6V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	-
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	250mW (Ta)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:	SC-89-3
paquet / estoig:	SC-89, SOT-490

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.