G3R160MT12D

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	G3R160MT12D
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Descripció	SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	G3R160MT12D PDF

Disponibilitat

En estoc	535
Preu unitari	$ 6.72000

G3R160MT12D Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

G3R160MT12D Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	G3R™
paquet:	Tube
estat de la part:	Active
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	1200 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	22A (Tc)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	15V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	192mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (màx.) @ id:	2.69V @ 5mA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	28 nC @ 15 V
vgs (màx.):	±15V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	730 pF @ 800 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	123W (Tc)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipus de muntatge:	Through Hole
paquet del dispositiu del proveïdor:	TO-247-3
paquet / estoig:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.