IPAN60R210PFD7SXKSA1

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	IPAN60R210PFD7SXKSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Descripció	MOSFET N-CH 650V 16A TO220
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilitat

En estoc	940
Preu unitari	$ 1.94000

IPAN60R210PFD7SXKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPAN60R210PFD7SXKSA1 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	CoolMOS™PFD7
paquet:	Tube
estat de la part:	Active
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	650 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	16A (Tc)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	10V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	210mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	4.5V @ 240µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vgs (màx.):	±20V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	1015 pF @ 400 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	25W (Tc)
Temperatura de funcionament:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Through Hole
paquet del dispositiu del proveïdor:	PG-TO220 Full Pack
paquet / estoig:	TO-220-3 Full Pack

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.