PSMN8R5-100ESQ

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	PSMN8R5-100ESQ
Fabricant	Rochester Electronics
Descripció	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	PSMN8R5-100ESQ PDF

Disponibilitat

En estoc	1.501
Preu unitari	$ 0.57000

PSMN8R5-100ESQ Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

PSMN8R5-100ESQ Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	-
paquet:	Bulk
estat de la part:	Active
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	100 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	100A (Tj)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	10V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	8.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	4V @ 1mA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	111 nC @ 10 V
vgs (màx.):	±20V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	5.512 pF @ 50 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	263W (Tc)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipus de muntatge:	Through Hole
paquet del dispositiu del proveïdor:	I2PAK
paquet / estoig:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.