TP65H300G4LSG

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	TP65H300G4LSG
Fabricant	Transphorm
Descripció	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	TP65H300G4LSG PDF

Disponibilitat

En estoc	240
Preu unitari	$ 4.02000

TP65H300G4LSG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TP65H300G4LSG Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	-
paquet:	Tray
estat de la part:	Active
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	GaNFET (Gallium Nitride)
drenatge a la tensió de font (vdss):	650 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	6.5A (Tc)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	8V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (màx.) @ id:	2.6V @ 500µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	9.6 nC @ 8 V
vgs (màx.):	±18V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	760 pF @ 400 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	21W (Tc)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:	3-PQFN (8x8)
paquet / estoig:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.