GA10JT12-263

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	GA10JT12-263
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Descripció	TRANS SJT 1200V 25A
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	GA10JT12-263 PDF

Disponibilitat

En estoc	170
Preu unitari	$ 20.74000

GA10JT12-263 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

GA10JT12-263 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	-
paquet:	Tube
estat de la part:	Active
tipus fet:	-
tecnologia:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
drenatge a la tensió de font (vdss):	1200 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	25A (Tc)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	-
rds activat (màx.) @ id, vgs:	120mOhm @ 10A
vgs(th) (màx.) @ id:	-
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	-
vgs (màx.):	-
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	1403 pF @ 800 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	170W (Tc)
Temperatura de funcionament:	175°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:	-
paquet / estoig:	-

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.