CSD19536KTT

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	CSD19536KTT
Fabricant	Texas Instruments
Descripció	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilitat

En estoc	1.715
Preu unitari	$ 5.47000

CSD19536KTT Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

CSD19536KTT Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	NexFET™
paquet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estat de la part:	Active
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	100 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	200A (Ta)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	6V, 10V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	3.2V @ 250µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	153 nC @ 10 V
vgs (màx.):	±20V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	12000 pF @ 50 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	375W (Tc)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:	DDPAK/TO-263-3
paquet / estoig:	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.