HGTD1N120BNS9A

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	HGTD1N120BNS9A
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripció	IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - igbts - únics
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	HGTD1N120BNS9A PDF

Disponibilitat

En estoc	7.588
Preu unitari	$ 1.51000

HGTD1N120BNS9A Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

HGTD1N120BNS9A Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	-
paquet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estat de la part:	Active
tipus igbt:	NPT
tensió - avaria de l'emissor del col·lector (màx.):	1200 V
corrent - col·lector (ic) (màx.):	5.3 A
corrent - col·lector polsat (icm):	6 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.9V @ 15V, 1A
potència - màx:	60 W
energia de commutació:	70µJ (on), 90µJ (off)
tipus d'entrada:	Standard
càrrec de la porta:	14 nC
td (encesa/apagada) @ 25 °C:	15ns/67ns
condició de prova:	960V, 1A, 82Ohm, 15V
temps de recuperació inversa (trr):	-
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet / estoig:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet del dispositiu del proveïdor:	TO-252AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.