PMWD19UN,518

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	PMWD19UN,518
Fabricant	NXP Semiconductors
Descripció	MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - matrius
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	PMWD19UN,518 PDF

Disponibilitat

En estoc	446.390
Preu unitari	$ 0.00000

PMWD19UN,518 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

PMWD19UN,518 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	TrenchMOS™
paquet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estat de la part:	Obsolete
tipus fet:	2 N-Channel (Dual)
fet característica:	Logic Level Gate
drenatge a la tensió de font (vdss):	30V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	5.6A
rds activat (màx.) @ id, vgs:	23mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (màx.) @ id:	700mV @ 1mA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	28nC @ 5V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	1478pF @ 10V
potència - màx:	2.3W
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet / estoig:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
paquet del dispositiu del proveïdor:	8-TSSOP

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.