IRF1902PBF

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	IRF1902PBF
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Descripció	MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	IRF1902PBF PDF

Disponibilitat

En estoc	659.830
Preu unitari	$ 0.00000

IRF1902PBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRF1902PBF Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	HEXFET®
paquet:	Tube
estat de la part:	Obsolete
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	20 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	4.2A (Ta)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	2.7V, 4.5V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	85mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (màx.) @ id:	700mV @ 250µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	7.5 nC @ 4.5 V
vgs (màx.):	±12V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	310 pF @ 15 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	2.5W (Ta)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:	8-SO
paquet / estoig:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.