GPA030A135MN-FDR

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	GPA030A135MN-FDR
Fabricant	SemiQ
Descripció	IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - igbts - únics
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	GPA030A135MN-FDR PDF

Disponibilitat

En estoc	771.939
Preu unitari	$ 0.00000

GPA030A135MN-FDR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

GPA030A135MN-FDR Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	-
paquet:	Tube
estat de la part:	Obsolete
tipus igbt:	Trench Field Stop
tensió - avaria de l'emissor del col·lector (màx.):	1350 V
corrent - col·lector (ic) (màx.):	60 A
corrent - col·lector polsat (icm):	90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 30A
potència - màx:	329 W
energia de commutació:	4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
tipus d'entrada:	Standard
càrrec de la porta:	300 nC
td (encesa/apagada) @ 25 °C:	30ns/145ns
condició de prova:	600V, 30A, 5Ohm, 15V
temps de recuperació inversa (trr):	450 ns
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Through Hole
paquet / estoig:	TO-3
paquet del dispositiu del proveïdor:	TO-3PN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.