BSM180D12P2E002

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	BSM180D12P2E002
Fabricant	ROHM Semiconductor
Descripció	1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - matrius
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	BSM180D12P2E002 PDF

Disponibilitat

En estoc	8
Preu unitari	$ 676.50000

BSM180D12P2E002 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSM180D12P2E002 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	-
paquet:	Bulk
estat de la part:	Active
tipus fet:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet característica:	Silicon Carbide (SiC)
drenatge a la tensió de font (vdss):	1200V (1.2kV)
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	204A (Tc)
rds activat (màx.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (màx.) @ id:	4V @ 35.2mA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	-
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	18000pF @ 10V
potència - màx:	1360W (Tc)
Temperatura de funcionament:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Chassis Mount
paquet / estoig:	Module
paquet del dispositiu del proveïdor:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.