TP65H070LSG-TR

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	TP65H070LSG-TR
Fabricant	Transphorm
Descripció	GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilitat

En estoc	498
Preu unitari	$ 12.98000

TP65H070LSG-TR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TP65H070LSG-TR Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	TP65H070L
paquet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estat de la part:	Active
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	GaNFET (Gallium Nitride)
drenatge a la tensió de font (vdss):	650 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	25A (Tc)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	10V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	4.8V @ 700µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	9.3 nC @ 10 V
vgs (màx.):	±20V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	600 pF @ 400 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	96W (Tc)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:	3-PQFN (8x8)
paquet / estoig:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.