SISS10DN-T1-GE3

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	SISS10DN-T1-GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Descripció	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	SISS10DN-T1-GE3 PDF

Disponibilitat

En estoc	3.461
Preu unitari	$ 1.06000

SISS10DN-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SISS10DN-T1-GE3 Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	TrenchFET®
paquet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estat de la part:	Active
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	40 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	60A (Tc)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	4.5V, 10V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	2.4V @ 250µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (màx.):	+20V, -16V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	3750 pF @ 20 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	57W (Tc)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
paquet / estoig:	PowerPAK® 1212-8S

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.