IRLL024NTRPBF

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant	IRLL024NTRPBF
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Descripció	MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Categoria	productes semiconductors discrets
Família	transistors - fets, mosfets - senzills
Cicle de vida:	New from this manufacturer.
Lliurament:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagament	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fitxa de dades	IRLL024NTRPBF PDF

Disponibilitat

En estoc	47.687
Preu unitari	$ 0.86000

IRLL024NTRPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRLL024NTRPBF Especificacions

Tipus	Descripció
sèrie:	HEXFET®
paquet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estat de la part:	Active
tipus fet:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drenatge a la tensió de font (vdss):	55 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:	3.1A (Ta)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):	4V, 10V
rds activat (màx.) @ id, vgs:	65mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:	2V @ 250µA
càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:	15.6 nC @ 5 V
vgs (màx.):	±16V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:	510 pF @ 25 V
fet característica:	-
dissipació de potència (màx.):	1W (Ta)
Temperatura de funcionament:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipus de muntatge:	Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:	SOT-223
paquet / estoig:	TO-261-4, TO-261AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.